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参数目录43097
> IRFH8325TR2PBF MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
型号:
IRFH8325TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH8325TR2PBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2487pF @ 10V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PQFN(5x6)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRFH8325TR2PBFCT
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